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圖3顯示了幾個關鍵工藝步驟,以說明階梯氧化物形成方法[13]:(a)矽深溝蝕刻后具有預期溝槽深度的核心單元結構,(b) 遮罩氧化物生長后,(c) 遮罩氧化物部分蝕刻與預期厚度,第 1 屏蔽多沉積,CMP 和蝕刻回預期深度;(d) 第二遮罩多沉積以填充溝槽的上部和 CMP。 ...

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